Mocvd是什么意思

Mocvd是什么意思

MOCVD MOCVDMOCVD是金属有机化合物化学气相淀积(Metal-organic Chemical Vapor Deposition)的英文缩写。MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。

MOCVD是金属有机化学气相沉积(Metal-organic Chemical Vapor Deposition)的英文缩写，是一种制备化合物半导体薄层单晶材料的方法。MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术.它以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。

MOCVD技术具有下列优点:

(l)适用范围广泛，几乎可以生长所有化合物及合金半导体;

(2)非常适合于生长各种异质结构材料;

(3)可以生长超薄外延层，并能获得很陡的界面过渡;

(4)生长易于控制;

(5)可以生长纯度很高的材料;

(6)外延层大面积均匀性良好;

(7)可以进行大规模生产。

MOCVD是金属有机化合物化学气相淀积(Metal-organic Chemical Vapor Deposition)的英文缩写